晶圓硅片研磨切割(ge)廢水過濾簡圖(tu)：

　　晶圓(yuan)硅片研(yan)磨(mo)切割(ge)廢(fei)水過(guo)濾(lv)過(guo)程簡述：

　　制造半導體前(qian)，必須將硅轉換(huan)為(wei)晶(jing)圓(yuan)片(pian)，晶(jing)圓(yuan)生產包(bao)括：晶(jing)棒(bang)成(cheng)長、晶(jing)棒(bang)裁(cai)切(qie)與檢測、外徑研磨(mo)(mo)、切(qie)片(pian)、圓(yuan)邊、表層研磨(mo)(mo)、蝕刻(ke)、去疵、拋光、清洗及檢驗包(bao)裝工序；研磨(mo)(mo)過程之后需采用(yong)大量(liang)的超純(chun)水來洗凈(jing)晶(jing)圓(yuan)表面所殘留的懸浮微顆粒或金屬離(li)子污(wu)染物，因而(er)產生CMP研磨(mo)(mo)廢液及后段清洗廢水。

　　晶圓硅片(pian)研磨(mo)切割(ge)廢水過濾問題描(miao)述：

　　廢水(shui)處理(li)不當(dang)或直接排(pai)放會污染環境

　　處理水(shui)不加以回收(shou)造成(cheng)水(shui)資源浪費

　　傳統處理方式有局限（占地大，加藥(yao)多，污(wu)泥產(chan)生量多，水質不穩定）

　　晶圓硅片研(yan)磨(mo)切割廢(fei)水過濾產品應用：

　　上(shang)層清液溢(yi)流至(zhi)中間水(shui)(shui)箱，經中間水(shui)(shui)泵(beng)將清水(shui)(shui)增壓后(hou)進(jin)一步(bu)的(de)過(guo)濾(lv)(lv)(lv)，經過(guo)10微(wei)米(mi)的(de)袋式(shi)過(guo)濾(lv)(lv)(lv)器、1微(wei)米(mi)的(de)濾(lv)(lv)(lv)芯式(shi)過(guo)濾(lv)(lv)(lv)器、活性(xing)炭吸附裝(zhuang)置及終端0.2微(wei)米(mi)的(de)精密過(guo)濾(lv)(lv)(lv)器，之后(hou)進(jin)入末(mo)端水(shui)(shui)箱，經末(mo)端送水(shui)(shui)泵(beng)將系統完全處理(li)的(de)回用水(shui)(shui)送至(zhi)超濾(lv)(lv)(lv)產水(shui)(shui)箱，可(ke)直接(jie)進(jin)反滲透裝(zhuang)置以繼續生產超純水(shui)(shui)；上(shang)述(shu)過(guo)程亦可(ke)采用陶瓷膜微(wei)濾(lv)(lv)(lv)裝(zhuang)置對(dui)上(shang)清液作過(guo)濾(lv)(lv)(lv)濃(nong)縮(suo)處理(li)。